专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3469398个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种硅化镁法制硅烷的副产物用途-CN200910272364.4无效
  • 鲍坚仁;鲍坚斌;朱泽华 - 鲍坚仁;鲍坚斌;朱泽华
  • 2009-09-30 - 2011-04-27 - C01B33/04
  • 本发明提供了一种硅化镁法制硅烷的副产物用途,即电解法制金属镁,以及电解法制镁的副产物循环用于硅化镁法,提出了联合生产硅烷和金属镁工艺。本发明硅化镁法制硅烷的副产物用途中,硅化镁法制硅烷的副产物氯化镁被用于电解法制金属镁。再把氯化镁用于电解法制金属镁的过程中得到的副产物氯气,经过和氢气燃烧后得到无水氯化氢,成为硅化镁法制硅烷的原材料。联合生产硅化镁法制硅烷和电解法制镁两个工艺中的副产物互为原材料,降低成本的同时降低了污染。
  • 一种硅化镁法制硅烷副产物用途
  • [发明专利]薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法-CN201110054894.9有效
  • 林金锡;林金汉;林于庭;林鹏 - 常州亚玛顿股份有限公司
  • 2011-03-09 - 2012-09-19 - H01L31/0224
  • 本发明涉及一种新型高性能导电玻璃,特别涉及一种薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法。本发明导电玻璃,在金属氧化物导电层(2)和第二金属氧化物导电层(4)之间夹置有金属层(3),金属氧化物导电层(2)、金属层(3)和第二金属氧化物导电层(4)依次设置在玻璃基材(1)的一侧表面上。本发明导电玻璃在玻璃基材上通过LPCVD、PECVD、SPUTFER或SPRAY方法制金属氧化物导电层,以磁控溅射或热蒸发的方法制金属层,以化学气相沉积方法制第二金属氧化物导电层。本发明导电玻璃透光性好,导电性强,散射度高,膜层结构稳定性好;性价比高;制备本发明导电玻璃方法制成本低。
  • 薄膜太阳能电池导电玻璃及其制备方法
  • [发明专利]采用离心方法制厚壁金属模具的生产方法-CN201810136819.9有效
  • 刘杰兵;陈兴富;张建敏;孟军波;霍振全;韩培 - 邢台德龙机械轧辊有限公司
  • 2018-02-09 - 2020-06-16 - B22D13/00
  • 本发明提供了一种采用离心方法制厚壁金属模具的生产方法,用于制备金属模具,主要包括以下步骤:S1、冶炼铁水,所述铁水成分为亚共晶铸铁成分;S2、当铁水温度达到1320‑1350℃时,将铁水出炉到铁水包内;S3、当铁水温度降至1270‑1300℃时,将铁水浇注至离心机的金属铸型内,离心铸造所述金属模具。本发明所述的采用离心方法制厚壁金属模具的生产方法,可替代原有静态浇注法制金属模具,制备过程中将液体金属注入高速旋转的金属铸型内,使金属液做离心运动充满金属铸型和形成金属模具,有助于液体金属中气体和夹杂物的排除;改善金属的结晶过程,从而改善金属模具的机械性能和物理性能。
  • 采用离心方法制备金属模具生产
  • [发明专利]一种采用等离子体法制纳米金属硅的方法-CN201510712347.3在审
  • 郑小刚;霍峰;刘勇;黄敏;宋玉春;王姝羡 - 内江师范学院
  • 2015-10-28 - 2016-01-27 - C01B33/03
  • 本发明提供了一种采用等离子体法制纳米金属硅的方法,属于金属制备技术领域,依次包括以下步骤:制备氟化硅气体、纯化氟化硅气体以及制备纳米金属硅。该方法通过步骤A将石英砂与氢氟酸反应制备出氟化硅气体;再通过步骤B对氟化硅气体进行纯化;最后通过步骤C使经纯化后的氟化硅分子与氢气分子在等离子体的作用下进行活化并发生反应而制备出纳米金属硅。因此,与现有的改良的西门子法和冷氢化法制金属硅相比较,采用等离子体法制纳米金属硅的方法具有制备流程简单,易操作,能耗及生产成本低的优点;而且制备出的纳米金属硅的晶体结构完整、无晶格缺陷、粒径分布窄,无需采用破碎方式就能满足了微电子行业对电子级金属硅的质量要求。
  • 一种采用等离子体法制纳米金属硅方法
  • [发明专利]金属光子晶体的溶液法制-CN200910078572.0无效
  • 张新平;刘红梅 - 北京工业大学
  • 2009-02-27 - 2009-07-22 - G03F7/00
  • 金属光子晶体的溶液法制属于纳米光电子材料及器件技术领域。现有制备金属光子晶体的方法存在成本高、效率低,制备面积小等问题。本发明通过依次在基底上旋涂光刻胶,干涉光刻法制一维或者二维纳米光栅结构,旋涂金属纳米颗粒溶胶和低温热处理,制得金属光子晶体。本发明方法具有成本低、效率高,可大面积制备金属光子晶体等优点。
  • 金属光子晶体溶液法制
  • [发明专利]金属基复合材料电子封装件多层累积模锻成形工艺方法-CN201510603995.5有效
  • 程远胜;马卓识 - 哈尔滨工业大学
  • 2015-09-21 - 2017-04-12 - B21J5/02
  • 金属基复合材料电子封装件多层累积模锻成形工艺方法,本发明涉及金属基复合材料模锻成形工艺方法,金属基复合材料电子封装件多层累积模锻成形工艺方法,所述方法是按照以下步骤实现的步骤一制备坯料通过半固态搅拌铸造法制Xvol%SiC/Al的第一复合材料坯料通过半固态搅拌铸造法制Yvol%SiC/Al的第二复合材料坯料,通过粉末双向压制工艺方法制Zvol%SiC/Al的第三复合材料坯料,通过粉末双向压制工艺方法制Wvol%SiC/Al的第四复合材料坯料;步骤二组装坯料;步骤三坯料装填;步骤四对坯料进行加热;步骤五模锻加压;本发明用于金属基复合材料模锻成形工艺方法领域。
  • 金属复合材料电子封装多层累积成形工艺方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top